[发明专利]基于Si IGBT/SiC MOS混合并联器件的串联变换器及其故障运行控制方法在审
申请号: | 202011580335.7 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN112701893A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 谢瑞;林斌;陈晴;徐晗;王霄鹤;李景一;傅春翔;施朝晖;徐鸥洋 | 申请(专利权)人: | 中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 刘晓春 |
地址: | 310014*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于Si IGBT/SiC MOS混合并联器件的串联变换器及其故障运行控制方法,该变换器为半桥结构,上桥臂和下桥臂均由(n+r)个混合并联器件串联组成,其中n个器件维持正常运行,r个器件用作冗余,每个混合并联器件由a个SiC MOS和b个IGBT并联组成,每个IGBT/SiC MOS包含一个驱动器,变换器包含一个总的中央控制器,负责器件的驱动序列、状态监测和控制策略调整。若变换器中某一功率器件失效,故障运行控制策略能够在一个开关周期内判断失效的位置、上传变换器的运行状况,并采用控制策略维持正常运行。本发明提出的变换器兼顾高压大功率和高频高功率密度的优势,提出的故障控制策略可保证变换器在器件故障情况下继续正常运行,提升了系统的容错性。 | ||
搜索关键词: | 基于 si igbt sic mos 混合 并联 器件 串联 变换器 及其 故障 运行 控制 方法 | ||
【主权项】:
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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