[发明专利]基于Si IGBT/SiC MOS混合并联器件的串联变换器及其故障运行控制方法在审

专利信息
申请号: 202011580335.7 申请日: 2020-12-28
公开(公告)号: CN112701893A 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: 谢瑞;林斌;陈晴;徐晗;王霄鹤;李景一;傅春翔;施朝晖;徐鸥洋 申请(专利权)人: 中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人: 刘晓春
地址: 310014*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于Si IGBT/SiC MOS混合并联器件的串联变换器及其故障运行控制方法,该变换器为半桥结构,上桥臂和下桥臂均由(n+r)个混合并联器件串联组成,其中n个器件维持正常运行,r个器件用作冗余,每个混合并联器件由a个SiC MOS和b个IGBT并联组成,每个IGBT/SiC MOS包含一个驱动器,变换器包含一个总的中央控制器,负责器件的驱动序列、状态监测和控制策略调整。若变换器中某一功率器件失效,故障运行控制策略能够在一个开关周期内判断失效的位置、上传变换器的运行状况,并采用控制策略维持正常运行。本发明提出的变换器兼顾高压大功率和高频高功率密度的优势,提出的故障控制策略可保证变换器在器件故障情况下继续正常运行,提升了系统的容错性。
搜索关键词: 基于 si igbt sic mos 混合 并联 器件 串联 变换器 及其 故障 运行 控制 方法
【主权项】:
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