[发明专利]一种晶圆中金属杂质的检测方法有效
| 申请号： | 202011581016.8 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112683988B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 闻澜霖;冯天;周珍 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/626 | 分类号： | G01N27/626;G01N1/44 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆中金属杂质的检测方法，包括：将晶圆进行中温热处理，加热至350℃～550℃温度范围内，保持第一预设时间；将中温热处理后的晶圆降温至低温并进行低温热处理，低温热处理包括：在200℃～300℃温度范围内，保持第二预设时间；将低温热处理后的晶圆降温至室温；将化学气相分解液滴在室温下的晶圆表面收集金属杂质；将包含金属杂质的化学气相分解液雾化后进行电感耦合等离子体质谱光谱分析，计算得到各种金属杂质的含量。本发明采用先中温热处理，不直接降温到室温，而是降温至低温并进行低温热处理的串联热工艺，兼顾了晶圆中不同的金属杂质扩散到晶圆表面并进行检测，耗时减少，提升了效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆中 金属 杂质 检测 方法 | ||
【主权项】：
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