[发明专利]一种铟镓锌氧基多层结构薄膜晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 202011581331.0 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112599420B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 冯金波;竹文坤;邱慧;白航空;郑在纹;何嵘;李宸;任俨;林丹;杨帆;乐昊飏 | 申请（专利权）人： | 绵阳惠科光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 绵阳远卓弘睿知识产权代理事务所(普通合伙) 51371 | 代理人： | 张忠庆 |
| 地址： | 621000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铟镓锌氧基多层结构薄膜晶体管的制备方法，包括：将玻璃基板加入去离子水中，超声清洗，风刀吹干；通过磁控溅射工艺在玻璃基板表面沉积金属薄膜，并进行图案化处理，得到栅电极；通过等离子体增强化学气相沉积法镀膜工艺在栅电极表面沉积二氧化硅，即绝缘层；在绝缘层上依次制备铟镓锌氧化物薄膜层Ⅰ、氧化铟薄膜层和铟镓锌氧化物薄膜层Ⅱ，并进行图案化处理，得到有源层；通过磁控溅射工艺在绝缘层及有源层上沉积金属层，并通过对金属层进行图案化处理，得到分别接触有源层两侧的源电极和漏电极；本发明采用三层结构可以有效减少有源层的缺陷，从而显著的提高了晶体管的迁移率和电流开关比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铟镓锌氧 基多 结构 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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