[发明专利]密封环结构及其制备方法

摘要

一种密封环结构及其制备方法，涉及集成电路技术领域。该密封环结构包括通过半导体外延层制作的增强型高电子迁移率晶体管、二极管组和电阻，增强型高电子迁移率晶体管用于环设于半导体器件的器件区外周，二极管组和电阻用于设于器件区外周；二极管组的阳极用于与半导体器件的第一电极金属连接、阴极与电阻的第一金属端金属连接，电阻的第二金属端用于金属连接半导体器件的第二电极；增强型高电子迁移率晶体管的栅极与二极管组的阴极金属连接、漏极用于与第一电极金属连接、源极用于与半导体器件的第二电极金属连接。该密封环结构能够利用密封环区域实现静电保护功能，从而节省器件的面积。