[发明专利]一种SPEEK/IL夹层结构参比电极及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202011581890.1 申请日: 2020-12-28
公开(公告)号: CN112782249B 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 潘依雯;沈蕴文;胡佩;孙振涛 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;G01N27/333
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 郑海峰
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种SPEEK/IL夹层结构参比电极及其制备方法和应用。参比电极本体端部设有SPEEK/IL夹层结构;所述的SPEEK/IL夹层结构包括两层SPEEK/IL复合膜和一层SPEEK膜,所述SPEEK膜层位于SPEEK/IL夹层结构的最外层。参比电极表面覆盖的SPEEK/IL有机半透膜对氢离子以外的离子具有隔离作用,尤其对离子尺寸较小的硫离子具有良好的阻隔作用。本发明由于其结构紧凑,机械强度大,不易受干扰的特点,能够在在复杂的水质环境中工作不易受到氧化还原物质的干扰,适合长期的pH值的检测,在深海探测,化工等领域有着广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 speek il 夹层 结构 参比电极 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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