[发明专利]间隙填充材料的等离子体掺杂在审
| 申请号： | 202011582142.5 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN113130294A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | S·萨卡尔;J·S·布朗;秦舒;Y·J·胡;F·M·戈德 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及间隙填充材料的等离子体掺杂。在用于使用旋涂电介质材料形成电子装置的多种过程中，可通过使用等离子体掺杂使这些材料固化来增强所述旋涂电介质材料的性质。举例来说，可增加所述经固化材料的硬度及杨氏模量。可增强其它性质。使所述旋涂电介质材料固化的所述等离子体掺杂使用一种作为与所离子化的物种相关联的等离子体离子植入物与高能量辐射的组合的机制。另外，可通过选择对应于关于长度的选择变化的所使用的特定掺杂剂的植入物能量及掺杂剂剂量沿着所述旋涂电介质材料的长度修改所述旋涂电介质材料的物理性质。 | ||
| 搜索关键词： | 间隙 填充 材料 等离子体 掺杂 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
