[发明专利]消除CVD-ZnSe缺陷的方法在审
| 申请号： | 202011582585.4 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112725901A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王和风;于金凤;刘羊 | 申请（专利权）人： | 广东先导先进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/48 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种消除CVD‑ZnSe缺陷的方法，其包括步骤：S1：对CVD‑ZnSe晶片进行研磨抛光，得到CVD‑ZnSe抛光片；S2：将CVD‑ZnSe抛光片用酒精擦拭表面，然后置于热等静压炉的装料框中，在CVD‑ZnSe抛光片的上下表面分别放置隔离垫片，然后合炉；S3：对热等静压炉抽真空并通入氩气，控制热等静压炉内的热压压力为100‑200Mpa，升高炉体温度至热压温度达到500‑800℃，然后对CVD‑ZnSe抛光片热等静压；S4：热等静压完成后，将热等静压炉降至室温并泄压恢复常压；S5：CVD‑ZnSe抛光片经过热等静压处理后成为CVD‑ZnSe晶片，取出CVD‑ZnSe晶片；S6：对CVD‑ZnSe晶片研磨抛光获得无缺陷的CVD‑ZnSe晶片。本公开的消除CVD‑ZnSe缺陷的方法，有效消除了云雾缺陷，提高了CVD‑ZnSe抛光片的光学透光率。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 cvd znse 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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