[发明专利]多腔室半导体薄膜外延装置在审
| 申请号： | 202011584692.0 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112795983A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 郭亮;魏同波;冉军学;王军喜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B29/02;C23C16/26;C23C16/50;C23C16/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种多腔室半导体薄膜外延装置，包括：多个生长腔室和一个机械臂；多个生长腔室至少包括一个石墨烯生长腔室、至少一个半导体材料生长腔室；其中，石墨烯生长腔室用于在衬底上生长石墨烯薄膜，包括等离子体处理模块，用于产生等离子气体；至少一个半导体材料生长腔室用于在石墨烯薄膜上范德华外延半导体薄膜，不同的半导体材料生长腔室用于生长不同的半导体薄膜；机械臂用于在生长腔室之间传递样品。该装置解决了在单腔室中石墨烯上外延半导体材料时石墨烯反应的残余气体对半导体材料的污染问题，同时还有利于简化生长腔室设计，提升材料生长效率和工艺可重复性；石墨烯采用了PECVD的方式制备，有利于提高石墨烯的生长速度，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多腔室 半导体 薄膜 外延 装置 | ||
【主权项】：
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