[发明专利]半导体器件制造方法及电子装置在审
| 申请号： | 202011586030.7 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112687557A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 赵强;桂珞;韩凤芹;石丹丹;王邦旭 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/482;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 刘亭 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件制造方法及电子装置，包括：提供器件衬底，器件衬底包括分立的第一部件和第二部件以及贯穿第一部件的多个第一释放孔；提供第一载体衬底，在第一载体衬底上形成至少用于与第一部件连接的金属布线层；在第一载体衬底上形成第二载体衬底；去除第一载体衬底；将第二载体衬底键合到器件衬底上；解键合去除第二载体衬底。通过在第一载体衬底上完成金属布线层工艺，最后通过解键合工艺将金属布线层转移到器件衬底上，可以避免直接在器件衬底上实施布线工艺而带来的工艺难度；通过解键合工艺去除第二载体衬底，避免了去除第二载体衬底时对器件衬底的内空腔所造成的影响，保证了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
