[发明专利]集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法在审
| 申请号： | 202011587131.6 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112731547A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 童武林;陈雨璐;王兵兵;王晓东;刘文辉;陈栋;王添雄;崔慧源;吴翼飞;秦世宏;王洋刚 | 申请（专利权）人： | 上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所） |
| 主分类号： | G01V8/10 | 分类号： | G01V8/10;G01V13/00 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 200063 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法，包括高阻砷化镓衬底、砷化镓掺杂吸收层、高阻砷化镓阻挡层、超结构、正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极；砷化镓掺杂吸收层位于阻挡层旁边，正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极设置在砷化镓掺杂吸收层左右两侧；超结构位于砷化镓掺杂吸收层上方。本发明基于超结构的偶极子共振效应，利用光场的局域增强特性，在吸收层较薄的情况下增强对入射太赫兹波的吸收，提高吸收转换效率，进而提升探测器光电响应的信噪比。基于超结构的偶极子共振特性，改变超结构的结构参数来调控共振波长，实现探测器250μm以上太赫兹波段的增强吸收，获得高性能的太赫兹探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 结构 砷化镓基 阻挡 杂质 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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