[发明专利]高压SiC肖特基二极管的结终端结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011588662.7 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN113161408B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 邓小川;胡睿;吴昊;刘瑞;姜春艳;严静融;张波 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压SiC肖特基二极管的结终端结构及其制备方法，包括第一金属电极层、N+型衬底、N‑型漂移区、N型沟道和N型保护环；相邻N型沟道之间的N‑型漂移区内设有源区P+型保护环，相邻N型保护环之间的N‑型漂移区内设有终端P+型保护环，相邻N型沟道和N型保护环之间设有过渡区，相邻的N型沟道之间、N型过渡区和N型保护环之间、相邻N型保护环之间都为沟槽；本发明同时形成有源区肖特基金属下的沟道区域和终端区嵌入钝化层的N型保护环结构，能够在重复雪崩、高温高压、长时间老化等极端应力下保持稳定的阻断电压而不发生漂移，且提高器件可靠性的同时不牺牲器件其他电学参数。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 sic 肖特基 二极管 终端 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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