[发明专利]一种纳米材料、发光二极管器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米材料、发光二极管器件及其制备方法，其中所述纳米材料包括ZnO纳米颗粒，以及包覆在所述ZnO纳米颗粒表面的In2O3壳层。本发明通过在ZnO纳米颗粒表面包覆In2O3壳层，形成ZnO@In2O3核壳结构，即制得纳米材料。本发明以宽带隙的In2O3作为壳层包覆带隙相对较窄的半导体ZnO纳米颗粒，可有效钝化ZnO纳米颗粒表面，使其表面缺陷减少，缓解其晶格失配，同时还可有效阻挡空穴从发光层传输至阴极，提高电子和空穴在发光层的复合效率，从而提升发光器件的发光性能。