[发明专利]产生离子能量分布函数(IEDF)在审
| 申请号： | 202011589113.1 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112701025A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | L·多尔夫;T·高;O·卢艾莱;O·朱伯特;P·A·克劳斯;R·丁德萨;J·H·罗杰斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/248;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供了使用整形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和调制晶片电压的幅度以产生预定数量的脉冲以确定离子能量分布函数。在另一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和向电极施加对晶片上的离子电流过度补偿的斜坡电压或向电极施加对晶片上的离子电流补偿不足的斜坡电压。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 离子 能量 分布 函数 iedf | ||
【主权项】：
暂无信息
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