[发明专利]一种抑制WPE的阱离子注入方法在审
| 申请号： | 202011589528.9 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114695094A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 张文娅;徐怀花;刘聪慧;季明华 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/027;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林丽丽 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种抑制WPE的阱离子注入方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底之上涂敷光刻胶层；光刻所述光刻胶层形成具有注入窗口的掩膜，并且在所述光刻过程中利用驻波效应使所述注入窗口的侧壁形成驻波波纹；经由所述注入窗口进行离子注入，在所述半导体衬底中形成阱区。本发明在光刻过程中利用光刻胶的驻波效应使注入窗口的侧壁形成驻波波纹，具有驻波波纹的侧壁可以有效地增强离子的随机散射能力，从而有效抑制阱邻近效应，提高阱区掺杂的均匀性，对先进CMOS工艺的发展具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 wpe 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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