[发明专利]CIS像素阵列任意像元完全耗尽电压的测试电路有效
| 申请号： | 202011589600.8 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112738433B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王玮;范春晖 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H04N25/76 | 分类号： | H04N25/76;H04N17/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹一凡 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CIS像素阵列任意像元完全耗尽电压的测试电路，包括若干个像素单元和读出电路，所述像素单元呈行列排布，且通过所述读出电路相连；同一列的像素单元的传输管的栅极共用一第一电压输入端；同一行的像素单元的悬浮漏极共用一第二电压输入端，光电二极管的第一端共用一测试电压输出端，由此获得相应列的相应行的像素单元，即测试像元的完全耗尽电压。本发明方便有效的监控和提高像素阵列中像元满阱容量的一致性，制造出高质量的图像传感器像素阵列，提高采集图像的质量。 | ||
| 搜索关键词： | cis 像素 阵列 任意 完全 耗尽 电压 测试 电路 | ||
【主权项】：
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