[发明专利]一种去除碳化硅晶片表面颗粒的清洗方法有效
| 申请号： | 202011589843.1 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112871849B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 张世颖;郭钰;李晨霞;刘春俊;彭同华;杨建 | 申请（专利权）人： | 北京天科合达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/12;B08B3/02;C11D3/60;C11D3/04;C11D3/06;C11D3/33;C11D3/43;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 付丽 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区中关村科技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种去除碳化硅晶片表面颗粒的清洗方法，本发明中的有机清洗通过碱性有机溶剂+机械作用相结合的办法，来去除表面黏着的蜡质、抛光液中的无机研磨液、硅溶胶和其余的大颗粒；无机清洗通过化学药液和机械作用相结合的办法来进一步去除碳化硅表面的小颗粒；表面钝化通过氧化作用来去除碳化硅表面的悬挂键，防止颗粒的再次吸附污染。本发明中的方法清洗的晶片通过Candela 920测试，0.3um以上颗粒数小于300个，合格率可以达到90％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 碳化硅 晶片 表面 颗粒 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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