[发明专利]磁压接电极结构、峰化电容器以及兆伏级电磁脉冲模拟器有效

专利信息
申请号: 202011591484.3 申请日: 2020-12-29
公开(公告)号: CN112786308B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 王海洋;陈伟;何小平;谢霖燊;吴伟;孙楚昱;肖晶;程乐 申请(专利权)人: 西北核技术研究所
主分类号: H01G4/005 分类号: H01G4/005;H01G4/008;H01F1/04
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 唐沛
地址: 710024 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种磁压接电极结构、峰化电容以及兆伏级电磁脉冲模拟器。本发明的磁压接电极结构包括高压电极环、永磁体、紧配环、上导磁片以及下导磁片;高压电极环的内孔中自下而上依次同轴设置下导磁片、永磁体以及上导磁片;下导磁片采用先液氮冷却,再使用压机的方式安装于高压电极环内孔中,并均与高压电极环的内孔为过盈配合;上导磁片与高压电极环的内孔之间安装紧配环;紧配环采用先液氮冷却,再使用压机的方式安装于上导磁片与高压电极环的内孔之间。该磁压接电极结构具有强磁力、大面积电极压接均匀和金属表面的平整光滑等优点。
搜索关键词: 磁压接 电极 结构 电容器 以及 兆伏级 电磁 脉冲 模拟器
【主权项】:
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