[发明专利]背照式图像传感器及制备方法

摘要

本发明提供一种背照式图像传感器，隔离环环绕所述光电二极管和所述第二导电类型沟道区，且贯穿所述半导体衬底和所述第二导电类型外延层；第一导电类型源区，沿所述隔离环内壁，自所述第二导电类型沟道区表面延伸至所述第二导电类型沟道区内，且环绕所述第一导电类型电荷积累区，所述第二导电类型沟道区隔离所述第一导电类型源区和所述第一导电类型电荷积累区。所述背照式图像传感器的隔离环与现在的常规CMOS工艺流程完全兼容，在隔离环内采用多次注入形成垂直分布的光电二极管与第一导电类型源区，减小电荷传输管的寄生电容，提升电荷传输管传输速率，提高图像传感器芯片的图像帧率。