[发明专利]一种集成结构Micro-LED显示器及其制备方法

摘要

本发明公开一种集成结构Micro‑LED显示器及其制备方法。包括Micro‑LED芯片阵列，芯片包括p‑Si衬底、Micro‑LED主体、两个晶体管和电容；Micro‑LED主体为台阶结构，从下到上包括：键合金属层、TiO2/SiO2DBR、ITO层、Mg掺杂p‑GaN层、Mg掺杂p‑AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、InGaN/GaN超晶格应力释放层、表面粗化的Si掺杂n‑GaN层，其中Mg掺杂p‑GaN层上表面为台阶面，主体通过键合金属层与衬底相连。该结构无需Micro‑LED的大量转移即可实现有源驱动，改善了GaN外延层的晶体质量，提高了Micro‑LED的光电性能。