[发明专利]一种平坦化工艺方法有效

专利信息
申请号: 202011600528.4 申请日: 2020-12-29
公开(公告)号: CN114683162B 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 时亚南;罗海龙;齐飞 申请(专利权)人: 中芯集成电路(宁波)有限公司
主分类号: B24B37/04 分类号: B24B37/04;B24B37/10;H10N10/01;H01L21/321;H01L21/3105
代理公司: 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 代理人: 刘亭
地址: 315800 浙江省宁波市北*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种平坦化工艺方法,包括:提供基底;在所述基底上形成图形化结构层;在所述结构层上形成第一介质层,所述第一介质层包括覆盖所述基底的第一子介质层,和覆盖所述结构层的第二子介质层,所述第一子介质层厚度大于所述结构层;刻蚀所述第二子介质层;对所述第一介质层进行平坦化工艺处理,直至至少暴露出部分所述结构层。本发明通过增加刻蚀结构层上方的第二子介质层,能够缩短研磨时间,减少平坦化工艺对第一介质层的研磨量以及对结构层的厚度均匀性的影响,进一步的提高结构层在晶圆内的均匀性。
搜索关键词: 一种 平坦 化工 方法
【主权项】:
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