[发明专利]一种具有氮化镓高阻层的HEMT器件的外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011600632.3 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112713189B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 汪琼;王超群;王东;吴勇;陈兴;黄永;陆俊;季亚军;孙凯;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 房文亮 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有氮化镓高阻层的HEMT器件的外延结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN帽层，本发明提供一种具有氮化嫁系高阻层的HEMT，提供了一种新的结构及长法，实现在不牺牲晶格质量的同时获得自动掺杂C的氮化镓高阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 氮化 镓高阻层 hemt 器件 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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