[发明专利]基于梳齿局部氧化的MEMS高低梳齿结构的制作方法

摘要

本发明公开了基于梳齿局部氧化的MEMS高低梳齿结构的制作方法，涉及半导体工艺制造领域，该方法包括：在第一硅圆片上生长介质层，在介质层上旋涂光刻胶并图形化，刻蚀介质层和结构层，去胶得到下梳齿区域和镜面区域，在结构层上旋涂光刻胶并图形化，刻蚀第一硅圆片露出中间埋氧层，去胶得到下梳齿结构，通过硅的局部氧化工艺在下梳齿结构表面以及第一硅圆片的裸露硅表面上生长保护层，去除介质层，将第一硅圆片与第二硅圆片进行硅硅键合，去除第二硅圆片的衬底层和中间埋氧层，在第二硅圆片上旋涂光刻胶并图形化；刻蚀第二硅圆片的结构层，去胶得到上梳齿结构和可动镜面结构，该方法在刻蚀上梳齿时通过保护层保护下梳齿不被刻蚀或腐蚀损伤。