[发明专利]一种提高半导体器件台面耐压结构及制备方法在审
| 申请号： | 202011603186.1 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112635550A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张弦;田鸿昌;何晓宁;陈晓炜 | 申请（专利权）人： | 陕西半导体先导技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61259 | 代理人： | 胡思棉 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市雁*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种提高半导体器件台面耐压结构及制备方法，包括形成PN结的至少一个P区和一个N区；在P区和N区的侧面为台面区域，在所述台面区域沉积有一层绝缘层，在所述绝缘层局部区域上沉积有一层高介电常数材料层，在所述高介电常数材料层和绝缘层上设置有保护层；所述高介电常数材料层覆盖台面处电场峰值区域。本发明的有益效果：首先，可以有效改善台面区的电场分布，降低台面区的电场峰值；其次，引入高介电常数层，可以弥补台面磨角工艺误差引入的不利影响，保证器件的成品率，提升器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 半导体器件 台面 耐压 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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