[发明专利]一种高功率半导体光放大器在审
| 申请号： | 202011604846.8 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112582873A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 杨明来 | 申请（专利权）人： | 浙江长芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02251 | 分类号： | H01S5/02251;H01S5/02253;H01S5/042;H01S5/34;H01S5/50 |
| 代理公司： | 杭州润涞知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33358 | 代理人： | 黎慧华 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市江干区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高功率半导体光放大器，其特征在于，从上至下依次包括放大区电极、电极接触层、上限制层、上波导层、有源层、下波导层、下限制层、衬底层和N面电极区，所述放大区电极由锥形放大区P面电极、脊形单模放大区P面电极组成，所述锥形放大区P面电极与脊形单模放大区P面电极之间相互电绝缘。本发明提高了饱和输出功率和小信号增益，弥补了基于平板耦合外延结构散热差和增益低的问题，饱和输出功率可以提高到瓦级，小信号增益可以突破28dB。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 放大器 | ||
【主权项】：
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