[发明专利]一种多沟道沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202011605794.6 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112701159A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;严晓雯;付浩;隗兆祥;周华;魏家行;孙伟锋;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/167;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 冯慧 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种多沟道沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，包括P型衬底，N型缓冲层，N型漂移区，第一P型基区，第一P型接触区，第一N型发射极区，沟槽下方设有第二P型基区、第二P型接触区、第二N型发射极区和P型屏蔽层，沟槽的内壁及底部设有栅氧化层，栅氧化层内设有多晶硅栅，沟槽上覆盖有钝化层，上表面形成第一发射极金属和第二发射极金属，P型衬底下表面形成集电极金属。本发明在形成沟槽前，在沟槽下方多次进行P型杂质和N型杂质的离子注入，提升发射极注入效应，从而产生较强的漂移区电导调制效应，使漂移区电阻率显著下降，大幅降低了器件的导通电阻；同时增加导电沟道，降低了沟道电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 沟槽 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011605794.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
