[发明专利]新型CMOS图像传感器像素结构有效
| 申请号： | 202011608526.X | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112614862B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 王欣洋;李扬;马成;刘洋;辛国松 | 申请（专利权）人： | 长春长光辰芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N25/76 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明;郭婷 |
| 地址： | 130000 吉林省长春市经济技术开发区*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种新型CMOS图像传感器像素结构，包括：包括：光电二极管、浮置扩散节点、复位晶体管和转移晶体管；其中，光电二极管为中空的环形结构，浮置扩散节点设置在光电二极管的中空区域内，转移晶体管为环形结构，其内边缘与浮置扩散节点接触，其外边缘与光电二极管接触，复位晶体管设置在浮置扩散节点的正下方，通过转移晶体管将光电二极管累积的电荷从不同方向转移至浮置扩散节点，通过复位晶体管提供竖直方向电场，对浮置扩散节点进行复位。本发明能够在不影响转移晶体管电荷转移速度的情况下，增大光电二极管感光区域的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 cmos 图像传感器 像素 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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