[发明专利]一种退火方法、复合薄膜及电子元件有效
| 申请号： | 202011608542.9 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112768354B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王金翠;张涛;张秀全;胡卉;刘桂银;刘阿龙 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/266;H01L21/02;C23C14/48 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种退火方法、复合薄膜及电子元件。本申请提供的方法包括：利用离子注入与键合相结合的方法制备复合薄膜结构体，复合薄膜结构体由下至上包括衬底层和薄膜层；在薄膜层上制备掩膜层；在掩膜层的预设位置处，对掩膜层和薄膜层进行瞬间高温处理；去除经过瞬间高温处理的掩膜层。本申请提供的方法不仅能有效消除在离子注入过程中对薄膜层造成的晶格损伤，并且由于本申请提供的退火方法是利用瞬间高温进行退火，因此衬底层不会长期处于高温环境中，进而也避免了高温对衬底层造成的各层之间相互拉扯或脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 退火 方法 复合 薄膜 电子元件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
