[发明专利]一种紫外/红外双色探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011608657.8 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112670357A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;郭龙;贾玉萍;孙晓娟;蒋科;石芝铭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供的紫外/红外双色探测器，包括：自下而上依次层叠设置的衬底层、BN缓冲层、BN三维材料层、插入层及BN二维材料层，所述BN三维材料层及所述BN二维材料层上设有电极，所述BN三维材料层可探测紫外光，所述BN二维材料层可探测红外光，其中利用三维氮化硼材料依靠其宽禁带性能实现对紫外光的响应，利用二维氮化硼材料可与红外光发生共振，产生声子极化子，影响材料电导率，从而实现对红外光的探测。本发明提供的氮化硼紫外/红外双色探测器打破了宽禁带半导体红外透过的传统观念，为实现宽禁带半导体的红外探测奠定了理论基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 红外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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