[发明专利]发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011609291.6 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112786745B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的AlN缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，其中，所述n型层包括由多个InN层和多个AlInGaN层交替层叠形成的超晶格结构，所述AlInGaN层掺杂有Si，AlInGaN层中的Si与In形成Si‑In共掺结构，Si‑In共掺结构能够有效抑制深受主中心的形成，从而减小自补偿效应，提高载流子的迁移率，InN材料也具有很好的电子输运性能，也有利于载流子迁移率的提高，从而提升n型层的电导率，提高深紫外发光二极管的电注入效率和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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