[发明专利]一种三元掺杂半导体及其制备工艺在审
| 申请号： | 202011609370.7 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112853475A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 刘杰;马自成;张军 | 申请（专利权）人： | 四川永祥硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王洋 |
| 地址： | 614800 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三元掺杂半导体制备工艺，包括：硅原料、掺杂剂和籽晶混合，清洗，烘干，在真空条件下，熔融、引晶、放肩、转肩、等径、收尾得到；所述掺杂剂包括B、P和Ga；所述掺杂剂的添加量按照如下计算：硼：(硅原料投量重量的75％*头部电阻率原子浓度)/(B原子浓度*B的分凝系数)；磷：(硅原料投量重量的45％*头部电阻率原子浓度)/(P原子浓度*P的分凝系数)；镓：(硅原料投量重量30％*头部电阻率原子浓度*Ga的原子质量)/(阿伏伽德罗常数*硅的比重*Ga的分凝系数。本发明B、P和Ga元素按照上述特定配比掺杂，可以有效减低硅片硼氧浓度，可以解决光衰高的技术问题，同时提高转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三元 掺杂 半导体 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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