[发明专利]一种锗的提纯方法有效
| 申请号： | 202011609591.4 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112760496B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 牛晓东;赵青松;狄聚青;顾小英;朱刘;胡智向 | 申请（专利权）人： | 安徽中飞科技有限公司 |
| 主分类号： | C22B41/00 | 分类号： | C22B41/00;C30B13/00;C30B29/08 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 239000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种锗的提纯方法，属于金属材料领域。本发明将锗料在还原气体气氛下进行区熔提纯，第一次区熔处理后切头，降低熔区宽度进行第二次区熔处理，再降低熔区宽度进行第三次区熔处理，切尾，然后降低熔区宽度进行第四次区熔处理，切头切尾，得到纯化锗。本发明不仅确保提纯后锗具有非常高的纯度，还提高了提纯效率和收率，如采用电子级锗作为原料，纯化锗为高纯锗，纯度在1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 提纯 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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