[发明专利]垂直结构发光二极管芯片的P电极的制备方法有效
| 申请号： | 202011610562.X | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112885937B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘旺平;梅劲;刘春杨;张武斌;葛永晖 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种垂直结构发光二极管芯片的P电极的制备方法，属于发光二极管领域。所述方法包括：提供发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及顺次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和P型欧姆接触层；在P型欧姆接触层上生长接触层电极，对接触层电极进行热退火处理，接触层电极包括Ni层；在接触层电极上生长第一反射层电极，对第一反射层电极进行热退火处理，第一反射层电极包括第一Ag层，第一反射层电极的退火时间比接触层电极的退火时间短，第一反射层电极的退火温度比接触层电极的退火温度低。本公开能够获得高反射率和低接触电阻率的P电极。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 发光二极管 芯片 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011610562.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
