[发明专利]一种FinFET结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011611697.8 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114695550A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 吴旭升;罗威扬 | 申请（专利权）人： | 广州集成电路技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种鳍片蚀刻均匀化且可改善鳍蚀刻负载的FinFET结构形成方法，包括S1：在硅衬底上进行阱区离子注入；S2：在硅衬底上依次外延生长形成阻挡层和Si外延层；S3：在Si外延层上形成硬掩模层；S4：以硬掩模层为掩模在Si外延层上进行鳍蚀刻，形成多个鳍片，相邻鳍片之间具有鳍凹槽，鳍蚀刻至阻挡层的表面后减缓蚀刻速率或停止蚀刻；S5：在鳍蚀刻后裸露的阻挡层以及鳍凹槽上形成填充层。本发明还公开了一种由上述形成方法获得的FinFET结构。上述FinFET结构及其形成方法通过在硅衬底上设置阻挡层，使得鳍蚀刻均匀的在阻挡层上停止，从而获得了具有蚀刻阻挡层的均匀鳍片结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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