[发明专利]一种EFUSE阵列结构及其编程方法和读方法在审

专利信息
申请号: 202011612120.9 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN112750491A 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 任永旭;蒋宇;沈灵;严慧婕;王新杰 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
主分类号: G11C17/16 分类号: G11C17/16;G11C17/18
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种EFUSE阵列结构及其编程方法和读方法。EFUSE阵列结构包括列译码电路和行译码电路、以及多个按阵列方式排列的存储单元;每一列上的各EFUSE共用一条编程电源线;每一行上的各编程晶体管共用一条编程字线;每一行上的各读晶体管共用一条读字线;每一列上的各读晶体管共用一条位线;列译码电路将选中的编程电源线设置为高电平,将未选中的编程电源线设置为低电平;行译码电路将选中的编程字线设置为高电平,将未选中的编程字线设置为低电平,将选中的读字线设置为高电平,将未选中的读字线设置为低电平。本方案可以降低读模式下的非读取存储单元的漏电,获得更低的读功耗以及更快的读取速度,节省整个芯片的功耗浪费。
搜索关键词: 一种 efuse 阵列 结构 及其 编程 方法
【主权项】:
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