[发明专利]一种高致密导电氧化铌靶材的制备方法在审
| 申请号： | 202011614214.X | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112592181A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 宋海涛;宋爱谋 | 申请（专利权）人： | 山东昊轩电子陶瓷材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;B28B3/00;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 255000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种高致密导电氧化铌靶材的制备方法，涉及材料加工技术的领域，其包括以下步骤：S1、选择氧化铌粉料和金属铌粉料作为原料按照配比放入V型混料机中混料，S2、混料完成后经高能球磨机进行球磨，S3、球磨好的粉料装模，S4、热压处理制得靶材坯料，S5、冷却后将靶材坯料取出，S6、将靶材坯料加工成规定形状的靶材。本申请具有通过氧化铌粉料和金属铌粉料混合热压制得靶材，从而提高靶材导电率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 致密 导电 氧化 铌靶材 制备 方法 | ||
【主权项】：
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