[发明专利]一种测量磁性纳米线自旋塞贝克系数的方法在审

专利信息
申请号: 202011614581.X 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112697835A 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: 杨杭福;泮敏翔;杨方宗;黄霞妮;吴琼;葛洪良 申请(专利权)人: 杨方宗
主分类号: G01N25/20 分类号: G01N25/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 317208 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种测量磁性纳米线自旋塞贝克系数的方法,包括以下步骤:将磁性纳米线置于电阻加热平台之上,分别测量得到铂电极Pt1与Pt2的温度电阻系数;用飞秒激光或者皮秒激光聚焦在铂,Pt1或者Pt2电极表面,测量铂电极Pt1和Pt2的电阻,由测得的Pt1与Pt2温度电阻系数,计算得到铂电极Pt1和Pt2的温度,并计算得到Pt1和Pt2之间的温度差ΔT;通过改变施加在磁性纳米线上的磁场,测量得到磁性纳米线上磁性薄膜磁矩在反平行态(AP)和平行态时(P)的电势,计算得到磁性纳米线的自旋塞贝克系数。本发明的测量手段更加简单快捷,产生的温度梯度更加大,并且避免了其他次生效应的产生,测量更加准确。
搜索关键词: 一种 测量 磁性 纳米 旋塞 贝克 系数 方法
【主权项】:
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