[发明专利]开孔晶圆上感光结构层的均匀曝光方法在审
申请号: | 202011615219.4 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN112612186A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 葛凯伦;陈学诣 | 申请(专利权)人: | 宁波得力微机电芯片技术有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;B81C1/00 |
代理公司: | 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 | 代理人: | 胡志萍;王莹 |
地址: | 315000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种开孔晶圆上感光结构层的均匀曝光方法,根据感光结构层中不同曝光能量需求的区域数量,配合光罩的形状,对感光结构层中的高曝光能量区域进行叠加曝光,使得感光结构层中不同曝光能量需求区域的曝光能量累计达到设定的曝光能量值。该开孔晶圆上感光结构层的均匀曝光方法,满足对不同曝光能量区域的需求能量的曝光操作,有效避免因晶圆局部区域曝光能量需求不同而产生的制程不良,解决一次曝光能量调整的工艺难度。在此基础上,还解决不同曝光能量区域交界处能量过度不平滑的问题,提高生产效率。该开孔晶圆的均匀曝光方法加工的产品良率高,产品品质好。 | ||
搜索关键词: | 开孔晶圆上 感光 结构 均匀 曝光 方法 | ||
【主权项】:
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