[发明专利]一种高密度的含W高活性高熵合金及其应用有效
| 申请号： | 202011616572.4 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112813329B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 唐宇;李顺;白书欣;王睿鑫;刘希月;万红;叶益聪;朱利安;王震 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;F42B12/72 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 邱轶 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高密度的含W高活性高熵合金及其应用，该合金具有简单的固溶体结构，金属元素W与活性元素之间的金属键结合较弱，在高速冲击、破碎的过程中，Ti、Zr等高活性元素会优先与O发生氧化反应，活性元素氧化反应释放的能量能够促使处于弱结合状态下的W元素也产生氧化反应而释放能量，使得本发明的合金在具有高密度、高强度等钨基合金特性的同时还能够达到高的能量释放。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 活性 合金 及其 应用 | ||
【主权项】：
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