[发明专利]晶圆键合力的测试方法有效
| 申请号： | 202011616573.9 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112701058B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 陈艳明;李闯;刘佳;温丽娜 | 申请（专利权）人： | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明;郭婷 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆键合力的测试方法，通过使用晶圆键合机台将晶圆与晶圆键合、晶圆键合后使用超声波扫描显微镜进行键合空洞扫描、晶圆通过高温退火、退火后使用超声波扫描显微镜再次进行键合空洞扫描、使用刃形刀片匀速插入进晶圆键合界面，等待1分钟后由于虹吸作用去离子水会进入晶圆之间裂缝处，形成去离子水界面介质、将多余的去离子水用氮气枪吹干，将晶圆放入载片盒内使用超声波扫描显微镜进行第三次扫描，扫描到裂缝的形状，大小和位置、通过超声波扫描显微镜给的位置数据，得到裂缝的精准长度、重复多点测试、将裂缝长度代入公式、计算该处键合力，将多点键合力数据算出平均值。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键 合力 测试 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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