[发明专利]一种基于神经网络的SiC MOSFET阻断电压确定方法有效
| 申请号： | 202011617791.4 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112685958B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 沈俊;唐茂森;周宗耀;饶伟;葛兴来;沙金 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | G06F30/27 | 分类号： | G06F30/27;H01L29/78;G06F119/02 |
| 代理公司： | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人： | 李梦蝶 |
| 地址： | 610031 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于神经网络的SiC MOSFET阻断电压确定方法，通过设计电压固定的场限环，根据相关的经验公式，并利用仿真软件进行仿真，得到场限环的仿真数据，仿真数据包括结构参数、取值范围以及场限环的实际阻断电压，将仿真数据作为自变量，阻断电压作为因变量，分别带入BP神经网络和RBF神经网络中进行诊断，并对二者的诊断误差进行对比，最终得出一种诊断精度最高的神经网络模型，使用诊断精度最高的神经网络模型对需要确定阻断电压的场限环进行预测，得到预测的阻断电压，解决了在无需仿真的前提下，根据相关参数提前预测器件阻断电压的问题；诊断精度高，可以为仿真设计者确定器件相关结构参数提供了非常好的参考，节约了大量的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 神经网络 sic mosfet 阻断 电压 确定 方法 | ||
【主权项】：
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