[发明专利]一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法在审
| 申请号： | 202011619697.2 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112802739A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张俐楠;陆凯;刘红英;吴立群;王洪成 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/263 | 分类号： | H01L21/263;H01L21/268 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法，通过设置超声波换能器探头与电磁铁，电磁铁的磁力作用能够增强刻蚀的速率，提高刻蚀孔的垂直性，超声波和磁场耦合作用高深宽比刻蚀硅基，减少表面损伤，降低机械应力，能够有效保证刻蚀的精度以及侧壁的质量，形成合理的高深宽比的硅微通道，保证使用效果，有利于上述基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构在微纳米制造技术领域的推广及应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 超声波 磁场 耦合 作用 刻蚀 高深 结构 及其 研究 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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