[发明专利]一种快充电源及接口浪涌保护芯片制造工艺在审
| 申请号： | 202011619747.7 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112820698A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 崔文荣 | 申请（专利权）人： | 江苏晟驰微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 丁桂红 |
| 地址： | 226600 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及快充电源及信息通信接口保护技术领域，且公开了一种快充电源及接口浪涌保护芯片制造工艺，包括以下步骤：步骤一：扩散前处理，采用P型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗等工序，对硅片表面进行化学处理。该快充电源及接口浪涌保护芯片制造工艺，通过进行氧化、光刻、N‑磷扩散、N+淀积、对氧化片进行光刻以及硅片上蒸发TI、NI、AG金属，通过金属光刻工艺刻出所需的焊接电极的工艺能够对在其较宽的N‑区块能够提高PN结侧边击穿电压，降低边缘漏电，且平面氧化层工艺能够很好的保护PN结，加大有源区面积提高抗浪涌能力，且通过使用干法加湿法共同生长的氧化层作为隔离层，降低PN结侧面漏电的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 充电 接口 浪涌 保护 芯片 制造 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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