[发明专利]沟槽型功率器件的制备方法在审
| 申请号： | 202011619876.6 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112820647A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 张忠宇;黄康荣;宁润涛 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽型功率器件的制备方法，包括：提供基底，在所述基底中形成若干沟槽，依次在所述沟槽的内壁上形成致密性不同的第一氧化层及第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述第一氧化层；对所述第一氧化层及所述第二氧化层进行热处理；对所述第一氧化层及所述第二氧化层进行湿法刻蚀以使所述第一氧化层及所述第二氧化层的顶部低于所述第一多晶硅层的顶部，且所述第二氧化层的顶部低于所述第一氧化层的顶部；在所述沟槽中依次形成第三氧化层及第二多晶硅层，所述第三氧化层覆盖所述沟槽的侧壁及所述第一多晶硅层的暴露的外壁，所述第二多晶硅层填充所述沟槽；本发明实现了调控沟槽型功率器件的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
