[发明专利]一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法有效
| 申请号： | 202011620132.6 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112827610B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 吴银雪 | 申请（专利权）人： | 东和半导体设备研究开发（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | B02C19/18 | 分类号： | B02C19/18;B02C1/00;B02C23/00 |
| 代理公司： | 泉州市兴博知识产权代理事务所(普通合伙) 35238 | 代理人： | 易敏 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国（江苏）自*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法，包括从左到右并排设置的第一底架和第二底架，第二底架顶部的右侧设置有一次粉碎机构，第一底架内壁的底部设置有低温介入机构，第一底架内壁上方的两侧均转动连接有转轴，本发明涉及半导体材料加工技术领域。该采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法，通过在第二底架顶部的右侧设置一次粉碎机构，第一底架内壁的底部设置低温介入机构，利用低温介入机构中的低温箱、冷凝器、控制箱和导线，可以先行对半导体材料进行脆化处理，后续粉碎过程更加容易进行，配合一次粉碎机构进行粉碎箱内的往复碾压过程，对半导体材料的初步粉碎过程，减少粉碎时间，提升粉碎效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 低温 介入 半导体材料 粉碎 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东和半导体设备研究开发（苏州）有限公司，未经东和半导体设备研究开发（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011620132.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高效单相异步电动机
- 下一篇：一种输电线带电作业用快速接线装置
