[发明专利]一种抗辐照锁存器单元电路有效
申请号: | 202011624739.1 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112787655B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 赵强;赵丽;彭春雨;卢文娟;吴秀龙;黎轩;蔺智挺;陈军宁 | 申请(专利权)人: | 安徽大学 |
主分类号: | H03K19/003 | 分类号: | H03K19/003 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;陈亮 |
地址: | 230601 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种抗辐照锁存器单元电路,包括十九个NMOS晶体管、十三个PMOS晶体管、三个反相器和一个钟控反相器。PMOS晶体管P1、P6、P7、P8对X5、X6包围加固,NMOS晶体管N1~N4、N6~N9对X1~X4包围加固;PMOS晶体管P2~P5作为上拉管,NMOS晶体管N5、N10作为下拉管,反相器I3与钟控反相器CI构成弱上拉;四个锁存器节点X1、X2、X3、X4通过四个NMOS晶体管N16~N19连接到输入D和DN,四个NMOS晶体管N16~N19的开启由时钟信号CLK控制。上述电路可以提高锁存器单元的速度、提高锁存器单元抗单粒子翻转的能力,解决由电荷共享引起的双节点翻转问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 辐照 锁存器 单元 电路 | ||
【主权项】:
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