[发明专利]一种抗辐照锁存器单元电路有效

专利信息
申请号: 202011624739.1 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112787655B 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 赵强;赵丽;彭春雨;卢文娟;吴秀龙;黎轩;蔺智挺;陈军宁 申请(专利权)人: 安徽大学
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人: 郑立明;陈亮
地址: 230601 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种抗辐照锁存器单元电路,包括十九个NMOS晶体管、十三个PMOS晶体管、三个反相器和一个钟控反相器。PMOS晶体管P1、P6、P7、P8对X5、X6包围加固,NMOS晶体管N1~N4、N6~N9对X1~X4包围加固;PMOS晶体管P2~P5作为上拉管,NMOS晶体管N5、N10作为下拉管,反相器I3与钟控反相器CI构成弱上拉;四个锁存器节点X1、X2、X3、X4通过四个NMOS晶体管N16~N19连接到输入D和DN,四个NMOS晶体管N16~N19的开启由时钟信号CLK控制。上述电路可以提高锁存器单元的速度、提高锁存器单元抗单粒子翻转的能力,解决由电荷共享引起的双节点翻转问题。
搜索关键词: 一种 辐照 锁存器 单元 电路
【主权项】:
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