[发明专利]一种高压制备片状单晶高镍镍钴锰三元材料的方法在审

专利信息
申请号: 202011625028.6 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112553690A 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 杨方宗;杨杭福 申请(专利权)人: 杨方宗
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B7/10;H01M4/505;H01M4/525
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 317208 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种高压制备片状单晶高镍镍钴锰三元材料的方法,高镍的镍钴锰三元通式为Li0.9Na0.1NixCoyMnzO2,其中0.5≤x≤0.8,0.1≤y≤0.3,0.1≤z≤0.3,其包括以下步骤:1)将锂盐、钠盐、镍盐、锰盐和草酸置于溶剂中搅拌混合;2)将混合料转移入反应釜中得到前驱体;3)将前驱体在高压高磁场下煅烧得到镍钴锰酸锂三元材料。本发明在材料溶剂热反应阶段利用了草酸和溶剂自主组装特性先形成片状单晶,焙烧后得到的NCM三元材料一致性好,并在高压高磁场下烧结,三元材料密度高,有效提高正极材料的电化学性能。本发明方法合成得到的材料纯度高,性能稳定,易于进行工业化生产。
搜索关键词: 一种 高压 制备 片状 单晶高镍镍钴锰 三元 材料 方法
【主权项】:
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