[发明专利]一种高介晶界层陶瓷材料及晶界层陶瓷基板的制备方法有效
| 申请号： | 202011625259.7 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112811901B | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 杜君;程华容;王新;祁晓旭;赵伟利;王帅 | 申请（专利权）人： | 北京元六鸿远电子科技股份有限公司;北京元陆鸿远电子技术有限公司;元六鸿远（苏州）电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/47 | 分类号： | C04B35/47;C04B35/622;C04B35/64;C04B41/87 |
| 代理公司： | 北京惠科金知识产权代理有限公司 11981 | 代理人： | 郑萌萌 |
| 地址： | 100070 北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高介晶界层陶瓷材料及晶界层陶瓷基板的制备方法，陶瓷材料包括：主体材料：钛酸锶；施主材料：La |
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| 搜索关键词： | 一种 高介晶界层 陶瓷材料 晶界层 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
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