[发明专利]一种功率器件封装结构及其制造方法、电子装置在审
| 申请号： | 202011626864.6 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112864139A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 侯峰泽;曹立强;王启东;丁飞 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/498;H01L23/467;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率器件封装结构及其制造方法、电子装置。封装结构包括：包括基板电路层的基板；基板一侧的中间绝缘介质层，中间绝缘介质层开设有贯穿中间绝缘介质层的腔体和通孔；腔体内设置有功率芯片，功率芯片朝向基板一侧设置有底电极，底电极电性连接基板电路层；围成通孔的中间绝缘介质层内侧壁表面覆盖有内层金属互联层，内层金属互联层还延伸至中间绝缘介质层上朝向基板一侧表面和中间绝缘介质层上背向基板一侧表面，内层金属互联层电性连接基板电路层；外层金属互联层，外层金属互联层位于中间绝缘介质层背向基板一侧，功率芯片背向基板一侧设置有顶电极，顶电极电性连接外层金属互联层；外层金属互联层还电性连接内层金属互联层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 封装 结构 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
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