[发明专利]一种大直径碳化硅单晶及其制备方法在审
| 申请号： | 202011627014.8 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112813494A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 魏汝省;李斌;毛开礼;周立平;戴鑫;靳霄曦;樊晓 | 申请（专利权）人： | 山西烁科晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 薛红凡 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种大直径碳化硅单晶及其制备方法，属于结晶生长技术领域。本发明提供的方法：将结晶物料，在籽晶、保护气氛下进行结晶生长；结晶生长结束后，将所得单晶进行原位退火处理，得到所述大直径单晶；所述结晶生长在坩埚中进行；采用2个加热线圈分别对所述坩埚的顶部和底部进行加热；对所述坩埚顶部进行加热的加热线圈中心与晶体生长界面在同一水平面上。本发明采用两个感应加热线圈分别对坩埚的顶部和底部进行加热，保持坩埚的顶部和底部温度差；结晶生长过程中，保持上线圈中心与晶体生长界面在同一水平面上，维持生长界面温场稳定性，减小结晶生长过程引入热应力；结晶生长结束后，对晶体进行原位退火处理，消除晶体内部热应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直径 碳化硅 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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