[发明专利]复合介质栅横向收集光敏探测单元、探测器及其工作方法

摘要

本发明涉及一种复合介质栅横向收集光敏探测单元、光敏探测器及其工作方法，包括形成在同一衬底正面的复合介质栅MOS电容和复合介质栅晶体管，还包括埋栅MOS电容，埋栅MOS电容位于P型半导体衬底背面且正对上方复合介质栅MOS电容的中心位置，复合介质栅MOS电容与复合介质栅晶体管在P型半导体衬底中通过浅槽隔离区隔开。光敏探测器包括多个探测单元排列成的阵列，每一列复合介质栅晶体管的漏端相连形成位线，源端相连形成公用源，每一行的控制栅极相连形成字线，每一行的埋栅相连形成埋栅线，衬底共用；光敏探测单元之间通过浅槽隔离区以及深槽隔离区隔开。工作时依次包括光电子的收集、光电子的读出与放大和光电子的复位。本发明的光电荷收集效率高。